Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家无晶圆厂环保科技半导体公司，开发了一系列高能效氮化镓（GaN） 功率器件，致力于打造更环保的电子器件。CGD 正在与全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo®（纳斯达克股票代码：QRVO）合作开发 GaN 在电机控制应用中的参考设计和评估套件（EVK）。CGD 旨在加快 GaN 功率 IC 在无刷直流电机（BLDC）和永磁同步电机（PMSM）应用中的使用，打造更高功率、高效、紧凑和可靠的系统。Qorvo在为其PAC5556A高性能 BLD
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CGD 电机控制 GaN
无晶圆厂环保科技半导体公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 开发了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更环保的电子器件。CGD 今日推出两款新型 ICeGaN™ 产品系列 GaN 功率 IC 封装，它们具有低热阻并便于光学检查。这两种封装均采用经过充分验证的 DFN 封装，坚固可靠。DHDFN-9-1（双散热器DFN）是一种薄的双面冷却封装，外形尺寸仅为10x10 mm，并采用侧边可湿焊盘技术，便于光学检查。它具有低热阻（Rth(JC)），可采用底部、顶部和双侧冷却方式运行，
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CGD 数据中心 逆变器 GaN 功率IC
Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家无晶圆厂环保科技半导体公司，开发了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更环保的电子器件。CGD 与与中国台湾工业技术研究院（ITRI）签署了谅解备忘录，以巩固为USB-PD适配器开发高性能GaN解决方案的合作伙伴关系、并共享市场信息、实现对潜在客户的联合访问和推广。Andrea Bricconi | CGD 首席商务官“我们很高兴能与ITRI合作，ITRI拥有一个电力解决方案研究团队，在开发电力解决方案方面有着非常丰富的经验
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CGD GaN 电源开发
Source: Getty Images/nicodemos根据5月13日发布的一则消息，Allego、Petrol Group、GreenWay和Emobility Solutions等四家企业将共同发起一个名为Cross-E的跨境电动汽车充电基础设施项目，该计划旨在沿欧洲主要路线和港口打造一个大功率电动汽车充电网络。项目计划将在欧洲239个地点安装总计911座大功率充电站，包括功率为150千瓦和350千瓦的充电桩。这些规划电动汽车充电站将专门面向轻型和重型电动汽车（LDV和HDV），Allego表示，
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Allego Cross-E 大功率充电站
深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations近日宣布达成协议，收购垂直氮化镓(GaN)晶体管技术开发商Odyssey Semiconductor Technologies的资产。这项交易预计将于2024年7月完成，届时Odyssey的所有关键员工都将加入Power Integrations的技术部门。此次收购将为该公司专有的PowiGaN™技术的持续开发提供有力支持。PowiGaN技术已广泛应用于该公司的众多产品系列，包括InnoSwitch™ IC、HiperPFS
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Power Integrations Odyssey 氮化镓 GaN
近日，Transphorm与伟诠电子宣布推出两款新型系统级封装氮化镓（GaN）器件（SiP），与去年推出的伟诠电子旗舰GaN SiP一起，组成首个基于Transphorm SuperGaN平台的系统级封装GaN产品系列。新推出的两款SiP器件型号分别为WT7162RHUG24B和WT7162RHUG24C，集成了伟诠电子的高频多模（准谐振/谷底开关）反激式PWM控制器和Transphorm的150 mΩ和480 mΩ SuperGaN FET。与上一款240 mΩ器件（WT7162RHUG24A）相同，两
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功率半导体 氮化镓 GaN
D类音频放大器参考设计(EPC9192)让模块化设计具有高功率和高效，从而可实现全定制、高性能的电路设计。宜普电源转换公司(EPC)宣布近日推出EPC9192参考设计，可实现优越、紧凑型和高效的D类音频放大器，于接地参考、分离式双电源单端 (SE)设计中发挥200 V eGaN FET器件(EPC2307)的优势，在4Ω负载时，每声道输出功率达700 W。EPC9192是可扩展的模块化设计，其主板配有两个PWM调制器和两个半桥功率级子板，实现具备辅助管理电源和保护功能的双通道放大器。这种设计的灵活性高，使
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GaN FET D类音频放大器
Cascode GaN FET 动态测试面临的挑战 Cascode GaN FET 比其他类型的 GaN 功率器件更早进入市场，因为它可以提供常关操作并具有更宽的栅极驱动电压范围。然而，电路设计人员发现该器件在实际电路中使用起来并不那么容易，因为它很容易发生振荡，并且其器件特性很难测量并获得可重复的提取。许多设计人员在电路中使用大栅极电阻时必须减慢器件的运行速度，这降低了使用快速 GaN 功率器件的优势。图 1 显示了关断时的发散振荡。图 2 显示了导通时的大栅极电压振铃。两者都与图 3 所示的 Cas
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氮化镓 FET
基于氮化镓器件的逆变器参考设计(EPC9193)让您实现具有更高性能的电机系统，其续航里程更长、精度更高、扭矩更大，而且同时降低了系统的总成本。宜普电源转换公司（EPC）近日宣布推出EPC9193，它是使用EPC2619 eGaN®FET的三相BLDC电机驱动逆变器，具有14V~65V的宽输入直流电压范围和两种配置，分别为标准和高电流版本：● EPC9193 是标准参考设计，在每个开关位置使用单个FET，可提供高达30ARMS 的最大输出电流。● EPC91
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SiC 市场的快速扩张主要得益于电动汽车的需求，预计 2023 年市场将比上年增长 60%。
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GaN SiC
Qorvo是一家在射频解决方案领域具有显著影响力的美国公司。它通过提供创新的射频技术，为移动、基础设施与国防/航空航天市场提供核心技术及解决方案，致力于实现全球互联。Qorvo在射频前端模块、滤波器、功率放大器、开关、调谐器等领域都展现出了强大的技术实力和市场地位。它是全球主要的功频放大器供货商，其产品在市场上具有较高的认可度和广泛的应用。这使得Qorvo在推动5G网络、云计算、物联网等新兴应用市场的发展方面发挥了重要作用。在Qorvo所擅长的宽带功率放大器领域之中，GaN材料展露出了重要的应用潜力。由于
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Qorvo GaN 宽带功率放大器
唯一全面专注的下一代功率半导体公司及氮化镓和碳化硅功率芯片行业领导者——纳微半导体近日宣布将参加于2024年3月20-22日在深圳福田会展中心举办的亚洲充电展，邀请观众造访由最新氮化镓和碳化硅技术打造，象征着全电气化未来的“纳微芯球”展台。纳微半导体将展出最新的GaNFast™和GeneSiC™应用及解决方案，包括：● 功率水平更高、以应用为导向的GaNSense™ Halfbridge半桥氮化镓技术● 高性能、速度快的第三代高速碳化硅技术● &
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纳微半导体 亚洲充电展 GaN+SiC 快充
英飞凌科技股份公司近日宣布与Worksport Ltd.合作，共同利用氮化镓（GaN）降低便携式发电站的重量和成本。Worksport将在其便携式发电站转换器中使用英飞凌的GaN功率半导体GS-065-060-5-B-A提高效能和功率密度。在采用英飞凌GaN晶体管后，该功率转换器将变得更轻、更小，系统成本也将随之降低。此外，英飞凌还将帮助Worksport优化电路和布局设计，进一步缩小尺寸并提高功率密度。Worksport首席执行官Steven Rossi表示：“英飞凌高质量标准和稳固的供应链为我们提供了
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英飞凌 Worksport 氮化镓 GaN 便携式发电站
概述近年来，汽车E/E架构发生了巨大变化，给执行器和传感器应用带来了影响，如车灯、车窗和后视镜等车身控制、发动机泵和风扇等电机控制，以及传感器控制等应用。传统上，这些应用使用低成本的小型16位微控制器（MCU），但现在则需要更先进的16位MCU。在本白皮书中，我们将介绍可应对E/E架构变化的最新的16位RL78/F2x
MCU。沖 寿美代——高性能运算及模拟与电源方案事业部E/E架构变化所面临的挑战● 改用无刷直流电机电动汽车（xEV）的加速普及正在推动E/E架构的变化。由于对降低噪音和功耗的需要，电
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汽车 微控制器 E/E
全球增强型氮化镓(GaN)功率 FET 和 IC领域的领导者宜普电源转换公司（EPC）推出 100 V、1 mOhm EPC2361。这是市场上具有最低导通电阻的GaN FET，与EPC的上一代产品相比，其功率密度提高了一倍。EPC2361的RDS(on)典型值只有1 mOhm，采用耐热QFN封装，顶部裸露，封装尺寸只有3 mm x 5 mm。EPC2361的RDS(on)最大值x面积仅为15 mΩ*mm2 –比等效100 V 硅MOSFET的体积小超过五倍。凭借超低导通电阻
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EPC 1mΩ 导通电阻 GaN FET
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